TK8Q65W,S1Q
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Teilenummer | TK8Q65W,S1Q |
PNEDA Teilenummer | TK8Q65W-S1Q |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.652 |
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TK8Q65W Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | TK8Q65W,S1Q |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK8Q65W Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 300V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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