DMN3115UDM-7
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| Teilenummer | DMN3115UDM-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3115UDM-7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.938 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN3115UDM-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3115UDM-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN3115UDM-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 476pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1355pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 52W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT3 Paket / Fall SC-96 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92 Paket / Fall - |
