NDF02N60ZH
Nur als Referenz
| Teilenummer | NDF02N60ZH |
| PNEDA Teilenummer | NDF02N60ZH |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.390 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NDF02N60ZH Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NDF02N60ZH |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NDF02N60ZH Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 24W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3785pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 915mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs (Max) ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300mW (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-75, SOT-416 Paket / Fall SC-75, SOT-416 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7015pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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