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APT40N60JCU3

APT40N60JCU3

Nur als Referenz

Teilenummer APT40N60JCU3
PNEDA Teilenummer APT40N60JCU3
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.750
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APT40N60JCU3 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT40N60JCU3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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APT40N60JCU3 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7015pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)290W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 106A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9575pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR9310TRLPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Isolated Tab

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

RFD14N05LSM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 14A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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