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TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Nur als Referenz

Teilenummer TK62J60W,S1VQ
PNEDA Teilenummer TK62J60W-S1VQ
Beschreibung MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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TK62J60W Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTK62J60W,S1VQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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TK62J60W Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieDTMOSIV
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.61.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 3.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6500pF @ 300V
FET-FunktionSuper Junction
Verlustleistung (max.)400W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P(N)
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOSP21357

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NIF9N05CLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

59V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 35V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.69W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IPD60R450E6BTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOB20S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

199mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1038pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

266W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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