TK20J60U(F)
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| Teilenummer | TK20J60U(F) |
| PNEDA Teilenummer | TK20J60U-F |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK20J60U(F) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TK20J60U(F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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TK20J60U(F) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | DTMOSII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(N) |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 580A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 430A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2750nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket Y3-Li Paket / Fall Y3-Li |
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