DMG4N65CTI
Nur als Referenz
Teilenummer | DMG4N65CTI |
PNEDA Teilenummer | DMG4N65CTI |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.852 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG4N65CTI Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMG4N65CTI |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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DMG4N65CTI Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 8.35W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | ITO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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