TDB6HK180N16RRB11BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | TDB6HK180N16RRB11BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | TDB6HK180N16RRB11BOSA1 |
| Beschreibung | SCR MODULE VDRM 1600V 70A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TDB6HK180N16RRB11BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Thyristoren › Thyristoren - SCRs - Module |
| Datenblatt |
TDB6HK180N16RRB11BOSA1, TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt
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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Struktur | - |
| Anzahl der SCRs, Dioden | - |
| Spannung - Aus Zustand | - |
| Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
| Current - On State (It (RMS)) (max.) | - |
| Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | - |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | - |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
| Current - Hold (Ih) (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Struktur Series Connection - All SCRs Anzahl der SCRs, Dioden 2 SCRs Spannung - Aus Zustand 800V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 320A Current - On State (It (RMS)) (max.) 710A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 3V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 200mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 9000A, 9420A Current - Hold (Ih) (Max) 500mA Betriebstemperatur -40°C ~ 130°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall MAGN-A-PAK |
