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TDB6HK180N16RRB11BOSA1

TDB6HK180N16RRB11BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer TDB6HK180N16RRB11BOSA1
PNEDA Teilenummer TDB6HK180N16RRB11BOSA1
Beschreibung SCR MODULE VDRM 1600V 70A
Hersteller Infineon Technologies
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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTDB6HK180N16RRB11BOSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
TDB6HK180N16RRB11BOSA1, TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 233,63 KB)
PDFTDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Cover
TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 2 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 3 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 4 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 5 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 6 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 7 TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Datenblatt Seite 8

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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Struktur-
Anzahl der SCRs, Dioden-
Spannung - Aus Zustand-
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)-
Current - On State (It (RMS)) (max.)-
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)-
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)-
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)-
Current - Hold (Ih) (Max)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule

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Powerex Inc.

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Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

510A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

14000A, 16000A

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VSKH250-16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

T1590N22TOFVTXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

2.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

1590A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

3200A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

300mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

32000A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AD

VS-VSKT320-08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

320A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

710A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

9000A, 9420A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK

IRKH162/16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

355A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4870A, 5100A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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