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TC4427EPA

TC4427EPA

Nur als Referenz

Teilenummer TC4427EPA
PNEDA Teilenummer TC4427EPA
Beschreibung IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 5.843
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TC4427EPA Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTC4427EPA
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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TC4427EPA Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.5A, 1.5A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)19ns, 19ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3.5A, 3.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14.5ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL6613BCR-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

HIP2103FRTAAZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

1.63V, 2.06V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

60V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 2ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (3x3)

HIP4080AIBT

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.6A, 2.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SOIC

MIC4424CWM TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

28ns, 32ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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16-SOIC

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