HIP2103FRTAAZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | HIP2103FRTAAZ |
| PNEDA Teilenummer | HIP2103FRTAAZ |
| Beschreibung | IC DRVR HALF BRIDGE 60V 8-DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.452 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HIP2103FRTAAZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HIP2103FRTAAZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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HIP2103FRTAAZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 14V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1.63V, 2.06V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1A, 1A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 60V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 8ns, 2ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-TDFN (3x3) |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 12-DFN (4x4) |
