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T360N28TOFXPSA1

T360N28TOFXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer T360N28TOFXPSA1
PNEDA Teilenummer T360N28TOFXPSA1
Beschreibung SCR MODULE 2800V 550A DO200AA
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.166
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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T360N28TOFXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerT360N28TOFXPSA1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module

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T360N28TOFXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
StrukturSingle
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR
Spannung - Aus Zustand2.8kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)360A
Current - On State (It (RMS)) (max.)550A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)5000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)300mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK

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1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

95A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

210A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1785A, 1870A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

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Chassis Mount

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Anzahl der SCRs, Dioden

6 SCRs

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

-

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

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Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

210A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

330A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

11190A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POW-R-BLOK™ Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

60A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

135A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1310A, 1370A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 2)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Struktur

Series Connection - All SCRs

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.2kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2250A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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