SX073H045S4PT
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Teilenummer | SX073H045S4PT |
PNEDA Teilenummer | SX073H045S4PT |
Beschreibung | DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.542 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SX073H045S4PT Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SX073H045S4PT |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SX073H045S4PT Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 45V |
Current - Average Rectified (Io) | 7.5A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 7.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 45V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 160pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123T Lieferantengerätepaket SOD-123T Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 820mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-15 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 320A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 60mA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 260pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |