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STX13005

STX13005

Nur als Referenz

Teilenummer STX13005
PNEDA Teilenummer STX13005
Beschreibung TRANS NPN 400V 3A TO92
Hersteller STMicroelectronics
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STX13005 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTX13005
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
STX13005, STX13005 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 310,85 KB)
PDFSTX13005G-AP Datenblatt Cover
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STX13005 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic5V @ 750mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce8 @ 2A, 5V
Leistung - max2.8W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

75MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SC2712-OTE85LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236

MPSW56RLRA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 250mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 250mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

2SAR554P5T100

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 25mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

340MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

BCV47,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

220MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

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