MJD350T4
Nur als Referenz
| Teilenummer | MJD350T4 |
| PNEDA Teilenummer | MJD350T4 |
| Beschreibung | TRANS PNP 300V 0.5A DPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 628.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MJD350T4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJD350T4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJD350T4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 15W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 1mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
