Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STWA70N60DM6

STWA70N60DM6

Nur als Referenz

Teilenummer STWA70N60DM6
PNEDA Teilenummer STWA70N60DM6
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.037 OHM TYP.,
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STWA70N60DM6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTWA70N60DM6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STWA70N60DM6, STWA70N60DM6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 339,97 KB)
PDFSTWA70N60DM6 Datenblatt Cover
STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 2 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 3 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 4 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 5 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 6 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 7 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 8 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 9 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 10 STWA70N60DM6 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STWA70N60DM6 Datasheet
  • where to find STWA70N60DM6
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STWA70N60DM6
  • STWA70N60DM6 PDF Datasheet
  • STWA70N60DM6 Stock

  • STWA70N60DM6 Pinout
  • Datasheet STWA70N60DM6
  • STWA70N60DM6 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STWA70N60DM6 Price
  • STWA70N60DM6 Distributor

STWA70N60DM6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ DM6
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.62A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTHL040N65S3F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

158nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5940pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

446W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

CTLDM7002A-M621 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.592nC @ 4.5V

Vgs (Max)

40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TLM621

Paket / Fall

6-PowerVFDFN

JAN2N7227

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/592

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

415mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

IXTT16P60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

NTP75N03R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

UFT14020

UFT14020

GeneSiC Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB

LTC1726IS8-2.5#PBF

LTC1726IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

NC7SZ00P5X

NC7SZ00P5X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

LTC4416IMS-1#PBF

LTC4416IMS-1#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OR CTRLR SRC SELECT 10MSOP

RCLAMP0502N.TCT

RCLAMP0502N.TCT

Semtech

TVS DIODE 6.5V 30V SLP1210N6

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

CM200C32768AZFT

CM200C32768AZFT

Citizen Finedevice

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

KSC341JLFS

KSC341JLFS

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923