IXTT16P60P
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| Teilenummer | IXTT16P60P |
| PNEDA Teilenummer | IXTT16P60P |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.768 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTT16P60P Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTT16P60P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTT16P60P Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | PolarP™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 460W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2737pF @ 35V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT3 Paket / Fall SC-96 |
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