Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STW45NM60

STW45NM60

Nur als Referenz

Teilenummer STW45NM60
PNEDA Teilenummer STW45NM60
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 45A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.344
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STW45NM60 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW45NM60
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW45NM60, STW45NM60 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 319,16 KB)
PDFSTW45NM60 Datenblatt Cover
STW45NM60 Datenblatt Seite 2 STW45NM60 Datenblatt Seite 3 STW45NM60 Datenblatt Seite 4 STW45NM60 Datenblatt Seite 5 STW45NM60 Datenblatt Seite 6 STW45NM60 Datenblatt Seite 7 STW45NM60 Datenblatt Seite 8 STW45NM60 Datenblatt Seite 9 STW45NM60 Datenblatt Seite 10 STW45NM60 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STW45NM60 Datasheet
  • where to find STW45NM60
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STW45NM60
  • STW45NM60 PDF Datasheet
  • STW45NM60 Stock

  • STW45NM60 Pinout
  • Datasheet STW45NM60
  • STW45NM60 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STW45NM60 Price
  • STW45NM60 Distributor

STW45NM60 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs134nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3800pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)417W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXTR32P60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

196nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

AOD446

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 5A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRLR7843TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

161A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4380pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IRFD120PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Kürzlich verkauft

74HC273D

74HC273D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC

749022011

749022011

Wurth Electronics

TRANSFORMER LAN 10/100/1000 POE

LM2903DR

LM2903DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC

PI3740-00-LGIZ

PI3740-00-LGIZ

Vicor

DC DC CONVERTER 10-50V

AT89C51ED2-SLSUM

AT89C51ED2-SLSUM

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44PLCC

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO

RL2010FK-070R43L

RL2010FK-070R43L

Yageo

RES 0.43 OHM 1% 3/4W 2010

LT1963AES8#PBF

LT1963AES8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.5A 8SOIC

74LCX574MTCX

74LCX574MTCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP

ATMEGA1280-16AU

ATMEGA1280-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP

2873000202

2873000202

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE