STW45NM60 Datenblatt
STW45NM60 Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 319,16 KB
STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STW45NM60
|
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 417W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
