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STW21NM50N

STW21NM50N

Nur als Referenz

Teilenummer STW21NM50N
PNEDA Teilenummer STW21NM50N
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STW21NM50N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTW21NM50N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STW21NM50N, STW21NM50N Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 463,74 KB)
PDFSTP21NM50N Datenblatt Cover
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STW21NM50N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1950pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)140W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.136nF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DFN2020MD-6

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

IXFN48N60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

AOTF296L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 41A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2785pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 36.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FQD12P10TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTHD3101FT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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