STU9HN65M2
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Teilenummer | STU9HN65M2 |
PNEDA Teilenummer | STU9HN65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK |
Hersteller | STMicroelectronics |
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STU9HN65M2 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STU9HN65M2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STU9HN65M2 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ M2 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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