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STT2PF60L

STT2PF60L

Nur als Referenz

Teilenummer STT2PF60L
PNEDA Teilenummer STT2PF60L
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STT2PF60L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTT2PF60L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STT2PF60L, STT2PF60L Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 238,77 KB)
PDFSTT2PF60L Datenblatt Cover
STT2PF60L Datenblatt Seite 2 STT2PF60L Datenblatt Seite 3 STT2PF60L Datenblatt Seite 4 STT2PF60L Datenblatt Seite 5 STT2PF60L Datenblatt Seite 6 STT2PF60L Datenblatt Seite 7 STT2PF60L Datenblatt Seite 8 STT2PF60L Datenblatt Seite 9 STT2PF60L Datenblatt Seite 10 STT2PF60L Datenblatt Seite 11

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STT2PF60L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds313pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.6W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-6
Paket / FallSOT-23-6

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

191nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11516pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

263W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

BSC190N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.6A (Ta), 44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 42µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 60V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

NTD24N06L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF840LPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Paket / Fall

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