STS5DP3LLH6
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| Teilenummer | STS5DP3LLH6 |
| PNEDA Teilenummer | STS5DP3LLH6 |
| Beschreibung | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STS5DP3LLH6 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STS5DP3LLH6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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STS5DP3LLH6 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 639pF @ 25V |
| Leistung - max | 2.7W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
