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STS10DN3LH5

STS10DN3LH5

Nur als Referenz

Teilenummer STS10DN3LH5
PNEDA Teilenummer STS10DN3LH5
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 23.664
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STS10DN3LH5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS10DN3LH5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STS10DN3LH5, STS10DN3LH5 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 767,46 KB)
PDFSTS10DN3LH5 Datenblatt Cover
STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 2 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 3 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 4 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 5 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 6 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 7 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 8 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 9 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 10 STS10DN3LH5 Datenblatt Seite 11

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STS10DN3LH5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
Leistung - max2.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 13V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ZXMN10A08DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 50V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

DMN3061SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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