STQ2HNK60ZR-AP
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| Teilenummer | STQ2HNK60ZR-AP |
| PNEDA Teilenummer | STQ2HNK60ZR-AP |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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STQ2HNK60ZR-AP Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STQ2HNK60ZR-AP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STQ2HNK60ZR-AP Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 500mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
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