Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9M28-80EX

BUK9M28-80EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK9M28-80EX
PNEDA Teilenummer BUK9M28-80EX
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.302
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BUK9M28-80EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK9M28-80EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BUK9M28-80EX, BUK9M28-80EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 723,83 KB)
PDFBUK9M28-80EX Datenblatt Cover
BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 2 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 3 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 4 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 5 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 6 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 7 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 8 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 9 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 10 BUK9M28-80EX Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BUK9M28-80EX Datasheet
  • where to find BUK9M28-80EX
  • Nexperia

  • Nexperia BUK9M28-80EX
  • BUK9M28-80EX PDF Datasheet
  • BUK9M28-80EX Stock

  • BUK9M28-80EX Pinout
  • Datasheet BUK9M28-80EX
  • BUK9M28-80EX Supplier

  • Nexperia Distributor
  • BUK9M28-80EX Price
  • BUK9M28-80EX Distributor

BUK9M28-80EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.7nC @ 5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2275pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)75W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK33
Paket / FallSOT-1210, 8-LFPAK33

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIHU4N80E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

622pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

SUP40N10-30-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IXFH21N50F

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

HiPerRF™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IXFH26N50Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IRFR3704

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1996pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ADF4001BRUZ

ADF4001BRUZ

Analog Devices

IC CLOCK GEN PLL 16-TSSOP

DS2781E+T&R

DS2781E+T&R

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE BATT 8TSSOP

BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

AD9515BCPZ

AD9515BCPZ

Analog Devices

IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

NC7SZ175P6X

NC7SZ175P6X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT SC70-6

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

TAJD337K010RNJ

TAJD337K010RNJ

CAP TANT 330UF 10% 10V 2917

AD1580ART-REEL

AD1580ART-REEL

Analog Devices

IC VREF SHUNT 1.225V SOT23

NFL21SP106X1C3D

NFL21SP106X1C3D

Murata

FILTER LC(PI) 680NH/670PF SMD

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23