STP7LN80K5
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| Teilenummer | STP7LN80K5 |
| PNEDA Teilenummer | STP7LN80K5 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 5A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.386 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STP7LN80K5 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STP7LN80K5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STP7LN80K5 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 85W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta), 105A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta), 176W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 68W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Ta), 97A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V Vgs (Max) +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1365pF @ 12.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SON Paket / Fall 8-PowerTDFN |
