AOT210L
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| Teilenummer | AOT210L |
| PNEDA Teilenummer | AOT210L |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A TO220 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.268 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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AOT210L Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOT210L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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AOT210L Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta), 105A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.9W (Ta), 176W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2672pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5579pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 446W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) Paket / Fall TO-274AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-MCPH Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
