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STL45N65M5

STL45N65M5

Nur als Referenz

Teilenummer STL45N65M5
PNEDA Teilenummer STL45N65M5
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.758
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STL45N65M5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL45N65M5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL45N65M5, STL45N65M5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 872,75 KB)
PDFSTL45N65M5 Datenblatt Cover
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STL45N65M5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ V
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs86mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3470pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.8W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFLAT™ (8x8)
Paket / Fall8-PowerVDFN

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

68V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

HUF75333S3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQI4N90TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SCTWA50N120

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

318W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

HiP247™

Paket / Fall

TO-247-3

FDPF8N50NZU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

735pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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