Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STL24N60DM2

STL24N60DM2

Nur als Referenz

Teilenummer STL24N60DM2
PNEDA Teilenummer STL24N60DM2
Beschreibung N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL24N60DM2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL24N60DM2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL24N60DM2, STL24N60DM2 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 806,67 KB)
PDFSTL24N60DM2 Datenblatt Cover
STL24N60DM2 Datenblatt Seite 2 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 3 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 4 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 5 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 6 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 7 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 8 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 9 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 10 STL24N60DM2 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STL24N60DM2 Datasheet
  • where to find STL24N60DM2
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STL24N60DM2
  • STL24N60DM2 PDF Datasheet
  • STL24N60DM2 Stock

  • STL24N60DM2 Pinout
  • Datasheet STL24N60DM2
  • STL24N60DM2 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STL24N60DM2 Price
  • STL24N60DM2 Distributor

STL24N60DM2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ DM2
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1055pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)125W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Fall8-PowerVDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MGSF1N03LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

420mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11323pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

333W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

HTNFET-DC

Honeywell Aerospace

Hersteller

Honeywell Aerospace

Serie

HTMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Vgs (Max)

10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 28V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tj)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

8-CDIP Exposed Pad

STU7NF25

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SPB80N06S08ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

7V24000002

7V24000002

TXC

CRYSTAL 24MHZ 8PF SMD

CS240610

CS240610

Powerex Inc.

DIODE GP 600V 100A POWRBLOK

MAX3221EETE+

MAX3221EETE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16TQFN

MC100LVEP14DTR2G

MC100LVEP14DTR2G

ON Semiconductor

IC CLK BUFFER 2:5 2.5GHZ 20TSSOP

ISL68137IRAZ-T7A

ISL68137IRAZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR PMBUS 48QFN

W681360WG

W681360WG

Nuvoton Technology

IC VOICEBND CODEC 3V 1CH 20TSSOP

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

NC7SZ125P5X

NC7SZ125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-5

742792410

742792410

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

L5973ADTR

L5973ADTR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8HSOP