HTNFET-DC
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| Teilenummer | HTNFET-DC |
| PNEDA Teilenummer | HTNFET-DC |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HTNFET-DC Ressourcen
| Marke | Honeywell Aerospace |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HTNFET-DC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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HTNFET-DC Technische Daten
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Serie | HTMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tj) |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | 8-CDIP Exposed Pad |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
