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STL20DN10F7

STL20DN10F7

Nur als Referenz

Teilenummer STL20DN10F7
PNEDA Teilenummer STL20DN10F7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 4.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STL20DN10F7 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL20DN10F7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STL20DN10F7, STL20DN10F7 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 894,27 KB)
PDFSTL20DN10F7 Datenblatt Cover
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STL20DN10F7 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds408pF @ 50V
Leistung - max62.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.56nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V

Leistung - max

1.17W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

153mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 30V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 10V

Leistung - max

1.15W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFLGA

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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