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STK14C88-5C45M

STK14C88-5C45M

Nur als Referenz

Teilenummer STK14C88-5C45M
PNEDA Teilenummer STK14C88-5C45M
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 32CDIP
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $20.836,1284
50 ---------- $19.859,4349
100 ---------- $18.882,7413
200 ---------- $17.906,0478
400 ---------- $17.092,1366
500 ---------- $16.278,2253
Auf Lager 2
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STK14C88-5C45M Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTK14C88-5C45M
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
STK14C88-5C45M, STK14C88-5C45M Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 875,25 KB)
PDFSTK14C88-L45I Datenblatt Cover
STK14C88-L45I Datenblatt Seite 2 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 3 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 4 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 5 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 6 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 7 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 8 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 9 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 10 STK14C88-L45I Datenblatt Seite 11

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STK14C88-5C45M Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-CDIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket32-CDIP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ns

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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