STI35N65M5
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Teilenummer | STI35N65M5 |
PNEDA Teilenummer | STI35N65M5 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.004 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STI35N65M5 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STI35N65M5 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STI35N65M5 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ V |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 160W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I2PAK |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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