STP80N10F7
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Teilenummer | STP80N10F7 |
PNEDA Teilenummer | STP80N10F7 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.912 |
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STP80N10F7 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STP80N10F7 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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STP80N10F7 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
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