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STGWA15M120DF3

STGWA15M120DF3

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA15M120DF3
PNEDA Teilenummer STGWA15M120DF3
Beschreibung IGBT 1200V 30A 259W
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.344
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGWA15M120DF3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA15M120DF3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA15M120DF3, STGWA15M120DF3 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.048,59 KB)
PDFSTGWA15M120DF3 Datenblatt Cover
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STGWA15M120DF3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 15A
Leistung - max259W
Schaltenergie550µJ (on), 850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/122ns
Testbedingung600V, 15A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)270ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

RJH60A83RDPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

230µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/54ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

STGW80H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGD3325G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

800ns/5.1µs

Testbedingung

5V, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

IRG4RC10UDTRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/87ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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