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STGW60H65F

STGW60H65F

Nur als Referenz

Teilenummer STGW60H65F
PNEDA Teilenummer STGW60H65F
Beschreibung IGBT 650V 120A 360W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.296
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STGW60H65F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW60H65F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW60H65F, STGW60H65F Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.429,56 KB)
PDFSTGW60H65F Datenblatt Cover
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STGW60H65F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 60A
Leistung - max360W
Schaltenergie750µJ (on), 1.05mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge217nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.65ns/180ns
Testbedingung400V, 60A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

360µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/130ns

Testbedingung

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT150GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

450A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

970nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/430ns

Testbedingung

400V, 150A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IRG4BC30FD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.42mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/250ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

3.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/730ns

Testbedingung

800V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

GT8G133(TE12L,Q)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 150A

Leistung - max

600mW

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.7µs/2µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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