STGW60H65F
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| Teilenummer | STGW60H65F |
| PNEDA Teilenummer | STGW60H65F |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 360W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.296 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW60H65F Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW60H65F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW60H65F Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 360W |
| Schaltenergie | 750µJ (on), 1.05mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 217nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 65ns/180ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 4V, 150A Leistung - max 600mW Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.7µs/2µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
