STGW40NC60KD
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| Teilenummer | STGW40NC60KD |
| PNEDA Teilenummer | STGW40NC60KD |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 250W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW40NC60KD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40NC60KD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40NC60KD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 220A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 595µJ (on), 716µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 46ns/164ns |
| Testbedingung | 480V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller STMicroelectronics Serie H IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 115W Schaltenergie 136µJ (on), 207µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 81nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24.5ns/118ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 442V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4.5V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 5mJ (on), 12.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1µs/12.1µs Testbedingung 320V, 20A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 70A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/170ns Testbedingung 180V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 15A Leistung - max 117W Schaltenergie 550µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 88nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 65ns/170ns Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/93ns Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
