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IRG4BH20K-L

IRG4BH20K-L

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BH20K-L
PNEDA Teilenummer IRG4BH20K-L
Beschreibung IGBT 1200V 11A 60W TO262
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.268
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BH20K-L Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BH20K-L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BH20K-L, IRG4BH20K-L Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 167,11 KB)
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IRG4BH20K-L Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)11A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)22A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.3V @ 15V, 5A
Leistung - max60W
Schaltenergie450µJ (on), 440µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/93ns
Testbedingung960V, 5A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketTO-262

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.72V @ 15V, 7.5A

Leistung - max

37W

Schaltenergie

47µJ (on), 141µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/101ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

66A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

340µJ (on), 650µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/125ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/78ns

Testbedingung

450V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

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Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/229ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

153ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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