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STGW30V60F

STGW30V60F

Nur als Referenz

Teilenummer STGW30V60F
PNEDA Teilenummer STGW30V60F
Beschreibung IGBT 600V 60A 260W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW30V60F Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW30V60F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW30V60F, STGW30V60F Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.471,93 KB)
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STGW30V60F Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
Leistung - max260W
Schaltenergie383µJ (on), 233µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge163nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/189ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

490µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/160ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT80GA60B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

143A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

840µJ (on), 751µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/158ns

Testbedingung

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 5A

Leistung - max

29.4W

Schaltenergie

130µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/40ns

Testbedingung

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

IXGT6N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 6A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

20nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/250ns

Testbedingung

1360V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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