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STGW20IH125DF

STGW20IH125DF

Nur als Referenz

Teilenummer STGW20IH125DF
PNEDA Teilenummer STGW20IH125DF
Beschreibung IGBT 1250V 40A 259W TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW20IH125DF Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW20IH125DF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW20IH125DF, STGW20IH125DF Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.351,02 KB)
PDFSTGWT20IH125DF Datenblatt Cover
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STGW20IH125DF Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1250V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max259W
Schaltenergie410µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge68nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/106ns
Testbedingung600V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

1.27mJ (on), 1.37mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/150ns

Testbedingung

400V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

156ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/190ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

450W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

Leistung - max

940W

Schaltenergie

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Through Hole

Paket / Fall

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