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STGP10NC60KD

STGP10NC60KD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP10NC60KD
PNEDA Teilenummer STGP10NC60KD
Beschreibung IGBT 600V 20A 65W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 12.972
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGP10NC60KD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP10NC60KD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP10NC60KD, STGP10NC60KD Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 1.653,19 KB)
PDFSTGD10NC60KT4 Datenblatt Cover
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STGP10NC60KD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 5A
Leistung - max65W
Schaltenergie55µJ (on), 85µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/72ns
Testbedingung390V, 5A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)22ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Leistung - max

201.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/265ns

Testbedingung

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGS4715DTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG8CH29K10F

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/245ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

330µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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