STGP10NC60KD
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| Teilenummer | STGP10NC60KD |
| PNEDA Teilenummer | STGP10NC60KD |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 65W TO220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.972 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGP10NC60KD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGP10NC60KD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGP10NC60KD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 65W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 85µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/72ns |
| Testbedingung | 390V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 41ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 428W Schaltenergie 3mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 470nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/265ns Testbedingung 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 190ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 18A Leistung - max 290W Schaltenergie 642µJ (on), 382µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/104ns Testbedingung 600V, 18A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 70A Leistung - max 695W Schaltenergie 2mJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A Leistung - max 100W Schaltenergie 200µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/100ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 86ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
