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STGD6NC60HDT4

STGD6NC60HDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD6NC60HDT4
PNEDA Teilenummer STGD6NC60HDT4
Beschreibung IGBT 600V 15A 56W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD6NC60HDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD6NC60HDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD6NC60HDT4, STGD6NC60HDT4 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 470,3 KB)
PDFSTGD6NC60HDT4 Datenblatt Cover
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STGD6NC60HDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)21A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 3A
Leistung - max56W
Schaltenergie20µJ (on), 68µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/76ns
Testbedingung390V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)21ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/190ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3FS

IRGS4640DTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/104ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IGW30N100TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

412W

Schaltenergie

3.8mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/535ns

Testbedingung

600V, 30A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

SGB20N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Paket / Fall

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