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SGB20N60ATMA1

SGB20N60ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGB20N60ATMA1
PNEDA Teilenummer SGB20N60ATMA1
Beschreibung IGBT 600V 40A 179W TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SGB20N60ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGB20N60ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGB20N60ATMA1, SGB20N60ATMA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 790,21 KB)
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SGB20N60ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Leistung - max179W
Schaltenergie440µJ (on), 330µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.36ns/225ns
Testbedingung400V, 20A, 16Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

345V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/26.5µs

Testbedingung

300V, 15A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

76A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXDH)

IRGS14C40LTRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

IRG4BC20W-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

60µJ (on), 80µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/110ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 30A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.1mJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/330ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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