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STGD3NB60SD-1

STGD3NB60SD-1

Nur als Referenz

Teilenummer STGD3NB60SD-1
PNEDA Teilenummer STGD3NB60SD-1
Beschreibung IGBT 600V 6A 48W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGD3NB60SD-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD3NB60SD-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD3NB60SD-1, STGD3NB60SD-1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 307,21 KB)
PDFSTGD3NB60SD-1 Datenblatt Cover
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STGD3NB60SD-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 3A
Leistung - max48W
Schaltenergie1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.125µs/3.4µs
Testbedingung480V, 3A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/210ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKW40N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.55mJ (on), 1.55mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

285nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/315ns

Testbedingung

600V, 40A, 9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

IXGA7N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

70µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/100ns

Testbedingung

480V, 7A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IRG4BC40K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXGH40N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

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LED BLUE CLEAR CHIP SMD

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DF10S-T

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IRLML6402TRPBF

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MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

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MBR360G

ON Semiconductor

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XC3S200AN-4FTG256C

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Xilinx

IC FPGA 195 I/O 256FTBGA

TIP42CTU

TIP42CTU

ON Semiconductor

TRANS PNP 100V 6A TO-220

MAX3491ESD+T

MAX3491ESD+T

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LT8331IMSE#TRPBF

LT8331IMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG MULTI CONFG ADJ 16MSOP

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