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IXGH40N60C

IXGH40N60C

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH40N60C
PNEDA Teilenummer IXGH40N60C
Beschreibung IGBT 600V 75A 250W TO247AD
Hersteller IXYS
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IXGH40N60C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH40N60C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH40N60C, IXGH40N60C Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 123,97 KB)
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IXGH40N60C Datenblatt Seite 2

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IXGH40N60C Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max250W
Schaltenergie850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/100ns
Testbedingung480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

Leistung - max

63.5W

Schaltenergie

330µJ (on), 760µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/120ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

IKW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/205ns

Testbedingung

960V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247PLUS-HV

HGTP5N120BND

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

450µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/160ns

Testbedingung

960V, 5A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

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NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Leistung - max

167W

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160µJ (on), 160µJ (off)

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Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/140ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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