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STGD3NB60HDT4

STGD3NB60HDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD3NB60HDT4
PNEDA Teilenummer STGD3NB60HDT4
Beschreibung IGBT 600V 10A 50W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD3NB60HDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD3NB60HDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD3NB60HDT4, STGD3NB60HDT4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 522,12 KB)
PDFSTGD3NB60HDT4 Datenblatt Cover
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STGD3NB60HDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
Leistung - max50W
Schaltenergie33µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.5ns/53ns
Testbedingung480V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

30µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/65ns

Testbedingung

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/190ns

Testbedingung

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264AA(IXSK)

IRGP4269DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IKP39N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 39A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

800µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/120ns

Testbedingung

400V, 39A, 12.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

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Lieferantengerätepaket

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