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STGD3NB60FT4

STGD3NB60FT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD3NB60FT4
PNEDA Teilenummer STGD3NB60FT4
Beschreibung IGBT 600V 6A 60W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGD3NB60FT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD3NB60FT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD3NB60FT4, STGD3NB60FT4 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 757,86 KB)
PDFSTGP3NB60F Datenblatt Cover
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STGD3NB60FT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
Leistung - max60W
Schaltenergie125µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge16nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12.5ns/105ns
Testbedingung480V, 3A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)45ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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FGB20N60SFD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

370µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/90ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

NGB8206NTF4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGF7H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

99µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

400V, 7A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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