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STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD18N40LZT4
PNEDA Teilenummer STGD18N40LZT4
Beschreibung IGBT 420V 25A 125W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD18N40LZT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD18N40LZT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD18N40LZT4, STGD18N40LZT4 Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 887,99 KB)
PDFSTGP18N40LZ Datenblatt Cover
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STGD18N40LZT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)420V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 4.5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.650ns/13.5µs
Testbedingung300V, 10A, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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AUIRGP66524D0

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

915µJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/75ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

176ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGP6640DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

300µJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/100ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

94W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

41ns/142ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

102ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

FGA50T65SHD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

319W

Schaltenergie

1.28mJ (on), 384µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.4ns/73.6ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

APT15GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

184W

Schaltenergie

150µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/105ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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