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STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD18N40LZT4
PNEDA Teilenummer STGD18N40LZT4
Beschreibung IGBT 420V 25A 125W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGD18N40LZT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD18N40LZT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD18N40LZT4, STGD18N40LZT4 Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 887,99 KB)
PDFSTGP18N40LZ Datenblatt Cover
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STGD18N40LZT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)420V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 4.5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.650ns/13.5µs
Testbedingung300V, 10A, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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SKB15N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

139W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/234ns

Testbedingung

400V, 15A, 21Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

279ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

IXBH20N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.35µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

STGW20V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

NGB8206ANT4G

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4IBC20KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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