STGB8NC60KDT4
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| Teilenummer | STGB8NC60KDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB8NC60KDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 15A 65W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.014 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB8NC60KDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB8NC60KDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB8NC60KDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 65W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 85µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/72ns |
| Testbedingung | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 23.5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max 68W Schaltenergie 215µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/220ns Testbedingung 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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