STGB30V60DF
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| Teilenummer | STGB30V60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGB30V60DF |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 258W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB30V60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB30V60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB30V60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 258W |
| Schaltenergie | 383µJ (on), 233µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 163nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/189ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 540µJ (on), 1.38mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 270ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie Polar™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 250ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 345V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 15A Leistung - max 176W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.1µs/26.5µs Testbedingung 300V, 15A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/130ns Testbedingung 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1100V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 55A Leistung - max 227.2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
